トップ 科学ソフトウェア のために Windows NT

残念ながら、Epubsoft Ultimate DRM Removalは、音楽CDを購入したゲームや、今日消費者が苦労している他の多くの形態のDRMからDRMを削除することはできません。しかし、1つのプラットフォームで書籍のコピーを購入し、それを別のタブレットや携帯電話に移動したい場合などは、このソフトウェアを使用すると役立ちます。無料の試用版もあります！使いやすい形式 Epubsoft Ultimate DRM...

Electric Function Utility Suite（EFUS）についての詳細は、Electronic Function Suite（EFUS）の詳細を参照してください。プログラムは2000年にソフトウェアとアプリケーションの選択に追加され、38,717ダウンロードを取得し、先週7回ダウンロードしました。現在のバージョンは3.6、最新のアップデートは2000年8月30日です。 Electrical Function Utility Suite（E.F.U.S.）は、Windows...

StarCalcは、Windows用の強力で無料のプログラムで、天文学サブカテゴリのカテゴリーの科学＆教育用ソフトウェアの一部です。 StarCalcの詳細プログラムは選択したソフトウェアに追加されています2002年には44,130件のダウンロードを獲得し、先週14回のダウンロードを達成しました。このプログラムは、Windows...

EniG Chemistry Assistantは、Windowsでのみ利用可能な優れたフリーソフトウェアで、物理学および化学のサブカテゴリカテゴリの科学および教育ソフトウェアの一部です。 EniG Chemistry Assistantの詳細 2003年のカタログ、11,987ダウンロード、そして先週のダウンロード数は16です。このプログラムのバージョンは2.4で、その最終更新は2003年3月27日でした。 EniG Chemistry Assistantは、オペレーティングシステムWindows...

PhysProfはWindows用にのみ用意された素敵な試用版ソフトウェアで、物理学と化学のサブカテゴリを持つ科学＆教育ソフトウェアのカテゴリに属し、ReduSoft Ltdによって作成されました。プログラムは2007年にソフトウェアとアプリケーションの選択に加わり、10,593ダウンロードに達しました。先週は1回ダウンロードされました。これはWindows...

あなたはPNGファイルで仮想磁石のレイアウトを描き、プログラムがフィールドを処理します。異なる色を使用することで、磁石の磁気モーメントが向いている方向選ぶと、あなたは異なる方向に多数の異なる磁石を持つことができます。コマンドラインプログラムは、PNGファイルを処理し、図面内の仮想磁石の相互作用マグネットフィールドが表示されます。あなたは高校の物理のクラスおよび/または大学のスピントロニクスクラスで使用できるコマンドラインプログラム。 ...

回転楕円体上の計算（提供されるいくつかのデータ）が、他の数を入力して保存することができます。地理的、およびその逆に回転楕円体の距離、グリッドの計算。 ...

DC-アークフラッシュ分析バージョン3.0（DCAFA V3.0）作業が通電機器の上や近くで行う場合には、ソフトウェアは、DC電源システムでの作業距離での入射エネルギー、アークフラッシュ、制限され、制限されたアプローチの境界を決定簡素化します。プログラムは、アカウント、電力系統電圧、利用可能短絡電流、回路定数の時間、機器構成、作動距離及び保護装置の時間 - 電流特性を考慮することにより分析を行います。 DCAFA...

ArcMaster機器クラス、障害タイプ、システム電圧、利用可能な短絡故障電流及びX / R比、導体間隔、作動距離、保護装置のタイプ及び定格、または予め設定されたアークの持続時間値をとり、入射エネルギー、アークフラッシュとショックを決定します保護境界。アーク電流は、ギャップとアーク電圧の長さの関数として表すことができます。アーク電圧は、電流、系統電圧、利用可能な故障電流及び故障X / R比アークの関数として導出することができます。 ArcMaster...

ソフトウェアPOLAROGRAPH.com（旧ポーラー）は、仮想ポーラログラフと一般電気シミュレータです。これは、分析的に、デジタル5以上の技術（リニアスイープとCVで9電極の形状（平面、球形、半球形、円筒形、半円筒形、マイクロディスク、薄膜、および回転電極）で、実質的に任意のメカニズムのボルタモグラム（polarograms）をシミュレートDC、通常のパルス、微分パルス、方形波voltammetries）。また、充電電流、抵抗、騒音、電解質、時間ストリッピング、潜在的なストリッピング、pH値など要件の影響...